Innovation Japan 2019 イノベーションが創出する未来の新産業!国内最大規模!産学マッチングのチャンス 入場無料
Innovation Japan 2019 イノベーションが創出する未来の新産業!国内最大規模!産学マッチングのチャンス 入場無料
イノベーションが創出する未来の新産業!国内最大規模!産学マッチングのチャンス 入場無料
Home > 出展者一覧 > 工学院大学 工学部 電気電子工学科

工学院大学 工学部 電気電子工学科

相川 慎也 准教授

移動度と動作安定性を同時に向上させた2層薄膜トランジスタ

マテリアル・リサイクル
小間 Z-04
プレ 0829-B-03

Kogakuin University Associate Professor Aikawa Shinya

High mobility bi-layer channel thin-film transistor with sperior stable operation

小間:小間番号   プレ:プレゼンテーション番号

12 つくる責任 つかう責任
出展ゾーン
大学等シーズ展示ゾーン
出展分野
マテリアル・リサイクル
小間番号
Z-04
大学等シーズ展示ショートプレゼンテーション
0829-B-03
2019年8月29日(木)
会場B
10:40 - 10:45

共同研究者

物質・材料研究機構
主任研究者 塚越 一仁

展示概要

技術概要
ポスト8kや裸眼立体視可能な次世代超高精細大画面ディスプレイを実現するには、画素駆動用薄膜トランジスタ(TFT)の移動度向上が不可欠ですが、現行酸化物TFT材料は、大面積製造が可能である一方、移動度と動作安定性がトレードオフの関係にあるため、これらの両立が課題でした。そのため、新しい元素構成の酸化物半導体を用いた独自積層構造のTFTを開発し、これらを同時に向上させる技術を確立しました。しかも、250℃の低温作製条件において、高温プロセスが不可欠な従来品を凌駕する特性を実現しました。

想定される活用例
・超高精細ディスプレイ画素駆動用薄膜トランジスタ
・低消費電力DRAM用スイッチングトランジスタ
・ペロブスカイト太陽電池の電子輸送層

 

展示のみどころ
Si基板上およびプラスチック基板上に作製した薄膜トランジスタアレイを展示すると共に、本技術の産業上での利用をイメージ頂くために、①計測器を用いて、試作した薄膜トランジスタの性能評価をデモすることによる動作安定性、②低温作製可能な特徴を活かしてプラスチック基板に試作した薄膜トランジスタに触れて頂くことによる柔軟性や透明性、を実感していただく予定です。

 

2層薄膜トランジスタの概略図およびチャネルの断面TEM像 / Schematic diagram of bilayer TFT and cross-sectional TEM image of the channel region

特許情報

特許情報1 発明の名称
薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置
特許情報1 出願人
国立研究開発法人 物質・材料研究機構
特許情報1 発明者
相川慎也,他
特許情報1 出願日
2014年1月31日(登録日2018年3月23日)
特許情報1 出願番号
特願2014-016635(特許登録第6308583号)
特許情報2 発明の名称
薄膜トランジスタおよびその製造方法
特許情報2 出願人
国立研究開発法人 物質・材料研究機構
特許情報2 発明者
相川慎也,他
特許情報2 出願日
2014年5月2日(登録日2018年3月2日)
特許情報2 出願番号
特願2016-213693(特許登録第6296463号)
特許情報3 発明の名称
透明導電膜、透明導電膜つき透明基板、透明導電膜つき透明基板の製造方法、タッチパネル
特許情報3 出願人
学校法人工学院大学
特許情報3 発明者
相川慎也
特許情報3 出願日
2017年6月19日
特許情報3 出願番号
特願2017-119702

お問い合わせ先

工学院大学 研究推進課

メールアドレス:sangaku@sc.kogakuin.ac.jp

電話:03-3340-3440   FAX:03-3342-5304  

URL:https://www.kogakuin.ac.jp/research/collaboration/application.html

プライバシーポリシー
© 2019  イノベーション・ジャパン2019運営事務局

PageTop