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広島大学 ナノデバイス・バイオ融合科学研究所 ナノ集積科学研究部門

黒木 伸一郎 教授

シリコンカーバイド半導体を用いた極限環境エレクトロニクス

装置・デバイス
小間 M-62
プレ 0829-A-60

Hiroshima University Professor Shin-Ichiro Kuroki

Silicon-Carbide (SiC) Harsh Environment Electronics

小間:小間番号   プレ:プレゼンテーション番号

9 産業と技術革新の 基盤をつくろう
出展ゾーン
大学等シーズ展示ゾーン
出展分野
装置・デバイス
小間番号
M-62
大学等シーズ展示ショートプレゼンテーション
0829-A-60
2019年8月29日(木)
会場A
16:20 - 16:25

展示概要

技術概要
500℃程度までの超高温環境と、2MGy以上の放射線曝露後でも動作可能な、シリコンカーバイド半導体による集積回路とセンサシステムの研究開発を進めています。特に耐放射線集積回路とセンサシステムは福島第一原子力発電所での廃炉作業で必要であり、開発が急がれます。本研究で進めている4H-SiC MOSFETsによる集積回路と、イメージセンサについて紹介し、またこれに関わる新しい半導体プロセス技術について紹介します。

想定される活用例
耐高温応用として、車載用デバイス、石油・天然ガス掘削、タービンエンジンなどの応用が並び、耐放射線応用として、医療用デバイス、加速器、更に高温・耐放射線の両方が宇宙空間、惑星探査、原子力発電所用デバイス

 

展示のみどころ
シリコンカーバイド集積回路およびイメージセンサ画素デバイスの実展示.

 

Silicon-Carbide /SOI-Si hybrid pixel device

お問い合わせ先

産学・地域連携センター 産学連携部門

メールアドレス:techrd@hiroshima-u.ac.jp

電話:082-424-4302   FAX:082-424-6189  

URL:https://www.hiroshima-u.ac.jp/iagcc/organization/sangaku

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